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消息稱三星與長江存儲重磅合作,V10 NAND將使用中國企業專利

   日期:2025-05-05 01:12:51     來源:IT之家     作者:中企檢測認證網     瀏覽:2    評論:0
核心提示:消息稱三星與長江存儲重磅合作,V10 NAND將使用中國企業專利據韓媒ZDNet近日報道,三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利,從其 V10(第

消息稱三星與長江存儲重磅合作,V10 NAND將使用中國企業專利

據韓媒ZDNet近日報道,三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利,從其 V10(第10代)NAND開始。

報道稱,三星計劃于2025年下半年開始大規模生產其V10 NAND,該產品預計將具有約420至430層。報道還提到,三星和SK海力士據說正在與長江存儲協商一項專利協議。

據悉,長江存儲已率先在閃存中使用了晶棧 Xtacking 技術,該技術可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

報道稱,大約四年前,長江存儲在該領域建立了強大的專利組合。而三星之前在NAND生產中使用了COP(Cell on Peripheral)技術,其中外圍電路放置在一個晶圓上,而單元堆疊在其上方。然而,隨著層數超過400層,對下層外圍的壓力增大會影響可靠性,因此需要采取替代方案。

知情人士表示,美國Xperi、長江存儲和臺積電擁有大多數混合鍵合專利。三星認為在下一代NAND如V10、V11和V12中很難繞過現有專利,因此選擇與長江存儲合作。

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