英諾賽科遞交上市申請，面臨來自競爭對手專利侵權訴訟
據香港證券交易所6月12日公告，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(下稱“英諾賽科”)已遞交上市申請，擬香港主板掛牌上市。聯席保薦人為中金公司和招銀國際。
資料顯示，英諾賽科成立于2015年，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業，注冊資本為8.34億元。
英諾賽科計劃將50%的募資資金用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能，計劃從2023年的每月1萬片晶圓擴大到未來5年每月7萬片晶圓;將15%的募資用于研發和擴大氮化鎵產品組合;此外，將募資用于擴大分銷網絡等。
值得注意的是，英諾賽科面臨來自競爭對手的三項專利侵權訴訟，如果判決不利，可能會面臨禁止生產或銷售涉案產品，或責令支付賠償的風險。
據相關媒體報道，2023年，氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地區法院以及美國國際貿易委員會提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其四項專利，涵蓋了EPC專有的增強型氮化鎵(GaN)功率半導體器件的設計和大批量制造工藝的核心方面。
今年3月，英飛凌在其官網發布消息稱，為防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術相關的美國專利收到侵犯，對英諾賽科提起訴訟，且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導體器件的核心方面，其中包括可實現英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創新。
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