據外媒 Tomshardware 報道，中國3D NAND領軍企業閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的11項專利，涉及3D NAND Flash和DRAM產品。
長江存儲請求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。
長江存儲指控稱，美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash，以及美光的一些DDR5 SDRAM產品(Y2BM 系列)，侵犯了長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。據@lithos_graphein收集的專利申請列表表明，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的一般方面。
這是繼今年6月后，長江存儲又一次對美光出手。2023年11月，長江存儲就曾在美國起訴美光專利侵權，涉8項專利;2024年6月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。
美國商務部于2022年底將長江存儲列入黑名單，這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠設備，以制造其市場領先的3D NAND設備的難度。去年，因為美國商務部禁止銷售可用于制造具有超過128個活動層的3D NAND的晶圓廠工具和技術，長江存儲發展的難度再度加大。
有趣的是，總部位于美國的 Patriot Memory正在準備一款高端PCIeGen5x4SSD，其讀取速度高達14GB/s。而該公司的技術正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和長江存儲的3D NAND內存。
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