長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)起訴美光侵犯其11項(xiàng)專(zhuān)利

據(jù)外媒Tomshardware報(bào)道，中國(guó)3DNAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的11項(xiàng)專(zhuān)利，涉及3D NAND Flash 和 DRAM產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3DNAND Flash，以及美光的一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的11項(xiàng)專(zhuān)利或專(zhuān)利申請(qǐng)。

2023年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就曾在美起訴美光專(zhuān)利侵權(quán)，涉8項(xiàng)專(zhuān)利;2024年6月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光資助的咨詢(xún)公司，指控其散布虛假信息。

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