技術標引項分析中的“找人”還包括對真正的產出相關技術的自然人及其團隊的發掘和分析，鎖定具有所需技術特點的發明人及發明人團隊，深入地分析和了解具體發明人及其團隊的技術成果特點，同時，也可以在這個過程中，分析發明團隊中各個發明人之間的配合關系和傳承關系等，推測并借鑒優秀發明團隊的搭建思路。
01、技術制造者的研究方向分析
案例1：英特爾在計算機指令系統領域的主要發明人分析
英特爾在計算機指令系統領域發明人排序
圖表來源：楊鐵軍. 產業專利分析報告(第40冊)高端通用芯片[M].北京：知識產權出版社，2016.
在英特爾在計算機指令系統領域，按發明人提交的發明數量進行排序，可以看出其中瓦爾排名第一，且其提交的45件專利申請，均是作為第一發明人，由此可見這位發明人在研發團隊中的超然地位，主導著研發團隊的創新力，尤其是其并未作為非第一發明人提交過專利申請，因而可以推測出該發明人很可能并非是在英特爾逐步成長起來的，而是外部聘請的技術專家，才能在一開始就以第一發明人的身份進行專利申請。反觀排名第二的托爾和排名第三的凡倫天，二者作為非第一發明人分別提交了12件和20件專利申請，可以看出這兩位發明人并非一開始就作為其研發團隊的主導，而是逐步成長起來的。
英特爾在計算機指令系統領域第一發明人瓦爾在各技術分支的申請分布
圖表來源：楊鐵軍. 產業專利分析報告(第40冊)高端通用芯片[M].北京：知識產權出版社，2016.
對英特爾排名第一的瓦爾提交的45件發明專利設計的領域進行分析，設計5個一級技術分支和18個二級技術分支，覆蓋了報告研究對象71.4%的一級技術分支和40.9%的二級技術分支，可見其在計算機指令系統中涉獵甚廣，對英特爾計算機指令系統創新的影響度較高。
02、技術制造者的合作研發
案例2：三星3D NAND領域研發人員的合作關系
三星3D NAND領域研發人員的合作關系
圖表來源：張茂于. 產業專利分析報告(第50冊)芯片先進制造工藝[M].北京：知識產權出版社，2017.
三星3D NAND領域研
圖表來源：張茂于. 產業專利分析報告(第50冊)芯片先進制造工藝[M].北京：知識產權出版社，2017.
對三星的發明人進行統計，可以獲知有3個主要的研發團隊，分別是金汗洙團隊(第一團隊)，黃棋鉉團隊(第二團隊)，樸泳雨團隊(第三團隊)。從合作程度上看，三個團隊之間兩兩合作，合作申請所占比例在16%-18%，其合作度約為1/6.從技術上看，對于堆疊方式，第一團隊涉獵簡單堆疊、垂直溝道和垂直柵型三種堆疊方式，第二團隊涉獵垂直溝道，第三團隊涉獵垂直溝道和垂直柵型;對于產品結構和工藝，第一團隊和第三團隊的研發重點在層間互聯結構以及光刻蝕刻和整體，第二團隊的研發重點在溝道以及深溝沉積。對照三星最終量產的V-NAND技術可知，主要由第三團隊完成了已上市的V-NAND快閃存儲器中使用的VG垂直柵結構的研發，但三星研究過多種方案，特別是在技術先進性較高的垂直溝道堆疊結構研發方面，三大團隊均有參與，投入了較強的力量。
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